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油溶性Ag2Se量子點(diǎn) 近紅外發(fā)射光表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為40%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性PbSe量子點(diǎn) 近紅外發(fā)射光 表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為40%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性PbS/CdS量子點(diǎn)是以PbS為核，CdS為殼層，表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性PbS量子點(diǎn)表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

水溶性碳量子點(diǎn) 又稱碳點(diǎn)或碳納米點(diǎn)，是一種具有顯著熒光特性的零維碳納米材料。它們由超細(xì)的、分散的、準(zhǔn)球形的和碳納米顆粒組成。

水溶性Mn摻雜 量子點(diǎn)表面由親水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%。

水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)物是以InP為核心，硫化鋅為殼的核/殼熒光納米材料，表面被親水配體包裹。平均量子產(chǎn)率為50%。

水溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%。

油溶性碳量子點(diǎn) PL 380 nm--560 nm是一種新型的納米材料，具有許多特別的物理和化學(xué)性質(zhì)。它們的主要特點(diǎn)是尺寸小、光穩(wěn)定性好、熒光效率高，并且能夠在...

油溶性Cu摻雜ZnInS 量子點(diǎn)平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性Cu,Mn共摻雜 量子點(diǎn) 光轉(zhuǎn)換材料平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)是以CuInS為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度...

油溶性PbS/CdS量子點(diǎn) 近紅外發(fā)射光 是以PbS為核，CdS為殼層，表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性PbS量子點(diǎn) 近紅外發(fā)射光表面由疏水配體包覆，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存。

油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3 是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，

油溶性InP/ZnS量子點(diǎn) 高亮綠光和紅光產(chǎn)物是以InP為核心，硫化鋅為殼的核/殼熒光納米材料，表面被疏水配體包裹。平均量子產(chǎn)率為60%。

油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn) 高亮藍(lán)紫光 是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%。

水溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為40%。